首次！特高压GIS隐蔽部位带电检测完成
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然而实际上，首次由于HER和OER的动力学过程非常缓慢，能够导致过电势过大以及低电能-化学能转换效率。
研制碳纳米管自动化分离装置，特高实现直径大于1 纳米单一手性半导体碳纳米管产业化制备。4.克量级直径大于1 纳米单一手性半导体碳纳米管制备研究内容：压G隐蔽突破单一手性半导体碳纳米管的分离制备瓶颈，压G隐蔽研究新型分子调控技术，开发凝胶分子对碳纳米管多重结构的筛选识别技术。
在 宏观与微观水平上揭示有机发光材料中多激发态耦合与演变的时 空规律，部位为激发态调制提供新方法。航发叶片疲劳极限提高 25%~30%，带电服役寿命提高 2~3倍。研究大型固体原料高压连续输送、检测排渣原理及装 备的设计方法。
申报单位根据指南支持方向，完成面向解决重大科学问题和突破关键技术进行一体化设计。首次运用放射性同位素体系对沉积地层定年并联合稳定同位素揭示中元古代重要环境变化事件的时限和机制。
革新和优化Re-Os同位素分析技术，特高Re和Os含量分析精度分别优于0.5%和1‰，187Os/188Os优于0.1‰。
革新Re-Os同位素等体系定年技术实现疑难金属矿床成矿年龄的准确测定，压G隐蔽揭示矿床成因并理解成矿规律。更为重要的是，部位P作为钾电负极鲜有人研究，到目前为止对于储钾的最终产物仍没有明确的统一（KP vsK4P3）。
在PIBs中，带电循环1000次后的容量为319 mAh/g）。（f，检测g）P2@N-SGCNT的（f）P 2p和（g）N1s的高分辨率XPS光谱。
完成（h）P@N-SGCNT复合材料的FT-IR光谱。近年来，首次主持国家自然科学基金委和省部级项目10余项。